Low-field mobility and high-field velocity of charge carriers in InGaAs/InP high-electron-mobility transistors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2022
high-electron mobility transistors (HEMTs)
Geometrical magnetoresistance (gMR)
peak velocity
low-field mobility
high-field velocity
lnGaAs/InP
Författare
Isabel Harrysson Rodrigues
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN)
Vol. In PressÄmneskategorier
Acceleratorfysik och instrumentering
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/TED.2022.3147733