Growth of UVB tunnel-junction LEDs: Impact of GaN interlayer thickness on morphology and electro-optical characteristics
Paper i proceeding, 2022
gan interlayer
uvb
tunnel junction
led
Författare
Massimo Grigoletto
Technische Universität Berlin
Sarina Graupeter
Technische Universität Berlin
Estrella Torres
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Joachim Ciers
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Johannes Enslin
Technische Universität Berlin
Luca Sulmoni
Technische Universität Berlin
Tim Kolbe
Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik
Tim Wernicke
Technische Universität Berlin
Åsa Haglund
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Michael Kneissl
Technische Universität Berlin
Publicerad i
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN)
art. nr PP312
Konferens
Berlin , Germany, 2022-10-08 - 2022-10-13
Kategorisering
Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik
Materialvetenskap
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Fysik
Annan materialteknik
Elektroteknik och elektronik
Nanoteknik
Den kondenserade materiens fysik
Infrastruktur
Chalmers materialanalyslaboratorium
Nanotekniklaboratoriet