Growth of UVB tunnel-junction LEDs: Impact of GaN interlayer thickness on morphology and electro-optical characteristics
Paper i proceeding, 2022

gan interlayer

uvb

tunnel junction

led

Författare

Massimo Grigoletto

Technische Universität Berlin

Sarina Graupeter

Technische Universität Berlin

Estrella Torres

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Joachim Ciers

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Johannes Enslin

Technische Universität Berlin

Luca Sulmoni

Technische Universität Berlin

Tim Kolbe

Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik

Tim Wernicke

Technische Universität Berlin

Åsa Haglund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Michael Kneissl

Technische Universität Berlin

International Workshop on Nitride semiconductors (IWN)

PP312

International Workshop on Nitride semiconductors (IWN)
Berlin , Germany,

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Materialvetenskap

Ämneskategorier

Fysik

Annan materialteknik

Elektroteknik och elektronik

Nanoteknik

Den kondenserade materiens fysik

Infrastruktur

Chalmers materialanalyslaboratorium

Nanotekniklaboratoriet

Mer information

Senast uppdaterat

2023-10-26