Optimization of 1.3 µm metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005
Metamorphic growth
Semiconducting IIIV materials
Molecular beam epitaxy
Författare
Ivar Tångring
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Journal of Crystal Growth
Vol. 281 2-4 220-226
Ämneskategorier
Materialteknik
Fysik