Optimization of 1.3 µm metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Metamorphic growth

Semiconducting III–V materials

Molecular beam epitaxy

Författare

Ivar Tångring

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Journal of Crystal Growth

Vol. 281 220-226

Ämneskategorier

Materialteknik

Fysik