Optimization of 1.3 µm metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Metamorphic growth

Semiconducting III–V materials

Molecular beam epitaxy

Författare

Ivar Tångring

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Forskning Andra publikationer

Journal of Crystal Growth

Vol. 281 2-4 220-226

Ämneskategorier

Materialteknik

Fysik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE