Strong 1.3--1.6 µm light emission from metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs

Ivar Tångring

Strong 1.3--1.6 µm light emission from metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Molecular beam epitaxy

Semiconducting III–V materials

Metamorphic growth

Författare

Ivar Tångring

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Forskning Andra publikationer

Applied Physics Letters

Vol. 86 171902-

Ämneskategorier

Materialteknik

Fysik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE