Strong 1.3--1.6 µm light emission from metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Molecular beam epitaxy

Semiconducting III–V materials

Metamorphic growth

Författare

Ivar Tångring

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Applied Physics Letters

Vol. 86 171902-

Ämneskategorier

Materialteknik

Fysik

Mer information

Skapat

2017-10-07