The formation and characterisation of lanthanum oxide based Si/High-k/NiSi gate stacks by electron beam evaporation: An examination of in-situ amorphous silicon capping and NiSi formation
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007

Författare

P.K. Hurley

M. Pijolat

K. Cherkaoui

E. O'Connor

D. O'Donnel

M.A. Negara

M.C. Lemme

H.D.B. Gottlob

M Schmidt

K. Stegmaier

U. Schwalke

S. Hall

O Buiu

Olof Engström

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

S.B. Newcomb

ECS Transactions

Vol. 11 4 145-

Ämneskategorier

Annan teknik

Mer information

Skapat

2017-10-06