Characterization of the temperature dependent access resistances in AlGaN/GaN HEMTs
Paper i proceeding, 2008

The temperature dependence of the access resistances for AlGaN/GaN HEMTs is investigated. The self-heating is measured using infrared microscopy and the access resistances are extracted at different ambient temperatures. Their influence on the intrinsic small signal parameters is studied versus bias and ambient temperature.

Modelling

Thermal

Small signal

GaN

HEMT

Författare

Mattias Thorsell

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

Kristoffer Andersson

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Martin Fagerlind

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, 2008. INMMIC 2008.

17-20

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/INMMIC.2008.4745703

ISBN

978-1-4244-2645-4