GaAs-Based Room-Temperature Continuous-Wave 1.59 µm GaInNAsSb Single-Quantum-Well Laser Diode Grown by Molecular-Beam Epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Zhichuan Niu

Shiyong Zhang

Haiqiao Ni

Donghai Wu

Huan Zhao Ternehäll

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Hongling Peng

Yingqiang Xu

Shuying Li

Zhenhong He

Zhengwei Ren

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07