Structural properties of relaxed Ge buffer layers on Si(001): effect of layer thickness and low temperature Si initial buffer
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004
relaxation
2-dimensional electron gases
substrate
strain
x-ray-diffraction
silicon
surfactant
growth
mobility
heterostructures
Författare
Tobias Myrberg
Göteborgs universitet
AP Jacob
O. Nur
Milan Friesel
M Willander
CJ Patel
Y Campidelli
C Hernandez
O Kermarrec
D Bensahel
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
0957-4522 (ISSN) 1573-482X (eISSN)
Vol. 15 7 411-417Ämneskategorier
Materialteknik
Annan teknik
Elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik