Direct Chemical Vapor Deposition of Large-Area Carbon Thin Films on Gallium Nitride for Transparent Electrodes: A First Attempt
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012
Direct formation of large-area carbon thin films on gallium nitride by chemical vapor deposition without metallic catalysts is demonstrated. A high flow of ammonia is used to stabilize the surface of the GaN (0001)/sapphire substrate during the deposition at 950 degrees C. Various characterization methods verify that the synthesized thin films are largely sp(2) bonded, macroscopically uniform, and electrically conducting. The carbon thin films possess optical transparencies comparable to that of exfoliated graphene. This paper offers a viable route toward the use of carbon-based materials for future transparent electrodes in III-nitride optoelectronics, such as GaN-based light emitting diodes and laser diodes.
chemical vapour deposition
ammonia
transparent electrodes
III-V semiconductors
Chemical vapor deposition
GaN
graphene
Författare
Jie Sun
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
M. T. Cole
University of Cambridge
S. Awais Ahmad
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Olof Bäcke
Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group
Tommy Ive
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Markus Löffler
Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group
Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys
Niclas Lindvall
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Eva Olsson
Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group
K. B. K. Teo
Aixtron
Johan Liu
Chalmers, Teknisk fysik, Elektronikmaterial
Anders Larsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Avgust Yurgens
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Åsa Haglund
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
0894-6507 (ISSN)
Vol. 25 3 494-501 6198364Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/tsm.2012.2198676