GaN MMIC power amplifiers for S-band and X- band
Paper i proceeding, 2008
The development of two GaN MMIC power amplifiers is reported. The amplifiers are processed in the AlGaN/GaN technology of Chalmers University of Technology using 0.25 ?m HEMTs. The S-band amplifier operates at frequencies from 3 to 4 GHz and has a maximum output power of 5.6 W with an associated efficiency of 28 %. The X-band amplifier has a maximum output power of 4.8 W.
Författare
Erwin M. Suijker
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
Mattias Sudow
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Martin Fagerlind
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
A. P. De Hek
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
F. E. Van Vliet
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
38th European Microwave Conference, EuMC 2008; Amsterdam; Netherlands; 27 October 2008 through 31 October 2008
297-300 4751447
978-287487006-4 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/EUMC.2008.4751447
ISBN
978-287487006-4