Influence of dislocation density on photoluminescence intensity of GaN
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Fredrik Fälth

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Manjula Gurusinghe

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Xinju Liu

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Thorvald Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

I.G. IVanov

B. Monemar

H.H. Yao

S.C. Wang

Journal of crystal growth

Vol. 278 406-

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-06