AlSb nucleation induced anisotropic electron mobility in AlSb/InAs heterostructures on GaAs
Journal article, 2012
hemt
layers
inas
semiconductor
Author
L. Desplanque
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
S. El Kazzi
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
J. L. Codron
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
Y. Wang
ENSICAEN Ecole Nationale Superieure d'Ingenieurs de Caen
P. Ruterana
ENSICAEN Ecole Nationale Superieure d'Ingenieurs de Caen
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics
Jan Grahn
Chalmers, Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics
X. Wallart
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
Applied Physics Letters
0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)
Vol. 100 26 262103Subject Categories
Physical Sciences
DOI
10.1063/1.4730958