AlSb nucleation induced anisotropic electron mobility in AlSb/InAs heterostructures on GaAs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012
hemt
layers
inas
semiconductor
Författare
L. Desplanque
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
S. El Kazzi
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
J. L. Codron
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
Y. Wang
ENSICAEN Ecole Nationale Superieure d'Ingenieurs de Caen
P. Ruterana
ENSICAEN Ecole Nationale Superieure d'Ingenieurs de Caen
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
X. Wallart
IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
Applied Physics Letters
0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)
Vol. 100 26 262103Ämneskategorier
Fysik
DOI
10.1063/1.4730958