DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures
Paper i proceeding, 2009
indium compounds
high electron mobility transistors
cryogenics
III-V semiconductors
aluminium compounds
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Indium Phosphide & Related Materials, 2009
1092-8669 (ISSN)
323 - 325978-1-4244-3432-9 (ISBN)
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
ISBN
978-1-4244-3432-9