DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures
Paper i proceeding, 2009

indium compounds

high electron mobility transistors

cryogenics

III-V semiconductors

aluminium compounds

Författare

Giuseppe Moschetti

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

IEEE Indium Phosphide & Related Materials, 2009

1092-8669 (ISSN)

323 - 325

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

ISBN

978-1-4244-3432-9