Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD
Paper i proceeding, 2005

Författare

Mariusz Rudzinski

Vincent Desmaris

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Paul Van Hal

J Weyher

Paul Hageman

Kristina Dynefors

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Pol larsen

International Conference on Nitride Semiconductor ICNS-6

Ämneskategorier

Bearbetnings-, yt- och fogningsteknik

Övrig annan teknik

Annan elektroteknik och elektronik