Electrothermal Access Resistance Model for GaN-Based HEMTs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011
Författare
Mattias Thorsell
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Kristoffer Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Hans Hjelmgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Publicerad i
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. 58 Nummer/häfte 2 s. 466 - 472 art. nr 5659469Kategorisering
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
DOI
10.1109/TED.2010.2093012