Dynamic Monte Carlo study of isolated-gate InAs/AlSb HEMTs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011
performance
low-noise
alsb/inas
electron-mobility transistors
Författare
H. Rodilla
Universidad de Salamanca
T. Gonzalez
Universidad de Salamanca
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
J. Mateos
Universidad de Salamanca
Semiconductor Science and Technology
0268-1242 (ISSN) 1361-6641 (eISSN)
Vol. 26 2 025004Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1088/0268-1242/26/2/025004