Mobility Improvement and Microwave Characterization of a Graphene Field Effect Transistor With Silicon Nitride Gate Dielectrics
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011

We report on the influence of a silicon nitride gate dielectric in graphene-based field-effect transistors (FETs). The silicon nitride is formed by a plasma enhanced chemical vapor deposition method. The process is based on a low density plasma at a high pressure (1 torr), which results in a low degradation of the graphene lattice during the top-gate formation process. Microwave measurements of the graphene FET show a cutoff frequency of 8.8 GHz for a gate length of 1.3 μm. A carrier mobility of 3800 cm2/V · s at room temperature was extracted from the dc characteristic.

Dielectric

microwave transistors

field-effect transistors (FETs)

graphene

Författare

Omid Habibpour

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Serguei Cherednichenko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

IEEE Electron Device Letters

0741-3106 (ISSN)

Vol. 32 7 871-873 5770174

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/LED.2011.2147755

Mer information

Skapat

2017-10-07