Organic Thin-Film Transistors with Anodized Gate Dielectric Patterned by Self-Aligned Embossing on Flexible Substrates
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

An upscalable, self-aligned patterning technique for manufacturing high- performance, flexible organic thin-film transistors is presented. The structures are self-aligned using a single-step, multi-level hot embossing process. In combination with defect-free anodized aluminum oxide as a gate dielectric, transistors on foil with channel lengths down to 5 mu m are realized with high reproducibility. Resulting on-off ratios of 4 x 106 and mobilities as high as 0.5 cm2 V-1 s-1 are achieved, indicating a stable process with potential to large-area production with even much smaller structures.

aluminum

field-effect transistors

displays

transport

self-alignment

insulator

arrays

organic electronics

thin-film transistors

transistors

pentacene

fabrication

anodization

electronics

performance

nanoimprint lithography

Författare

Yiheng Qin

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

D. H. Turkenburg

Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)

I. Barbu

Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)

W. T. T. Smaal

Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)

K. Myny

Interuniversity Micro-Electronics Center at Leuven

W. Y. Lin

Interuniversity Micro-Electronics Center at Leuven

G. H. Gelinck

Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)

P. Heremans

Interuniversity Micro-Electronics Center at Leuven

Johan Liu

Chalmers, Teknisk fysik, Elektronikmaterial och system

E. R. Meinders

Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)

Advanced Functional Materials

1616-301X (ISSN)

Vol. 22 6 1209-1214

Ämneskategorier

Fysik

DOI

10.1002/adfm.201102266