Organic Thin-Film Transistors with Anodized Gate Dielectric Patterned by Self-Aligned Embossing on Flexible Substrates
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012
An upscalable, self-aligned patterning technique for manufacturing high- performance, flexible organic thin-film transistors is presented. The structures are self-aligned using a single-step, multi-level hot embossing process. In combination with defect-free anodized aluminum oxide as a gate dielectric, transistors on foil with channel lengths down to 5 mu m are realized with high reproducibility. Resulting on-off ratios of 4 x 106 and mobilities as high as 0.5 cm2 V-1 s-1 are achieved, indicating a stable process with potential to large-area production with even much smaller structures.
aluminum
field-effect transistors
displays
transport
self-alignment
insulator
arrays
organic electronics
thin-film transistors
transistors
pentacene
fabrication
anodization
electronics
performance
nanoimprint lithography
Författare
Yiheng Qin
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
D. H. Turkenburg
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
I. Barbu
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
W. T. T. Smaal
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
K. Myny
Interuniversity Micro-Electronics Center at Leuven
W. Y. Lin
Interuniversity Micro-Electronics Center at Leuven
G. H. Gelinck
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
P. Heremans
Interuniversity Micro-Electronics Center at Leuven
Johan Liu
Chalmers, Teknisk fysik, Elektronikmaterial
E. R. Meinders
Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek (TNO)
Advanced Functional Materials
1616-301X (ISSN) 16163028 (eISSN)
Vol. 22 6 1209-1214Ämneskategorier
Fysik
DOI
10.1002/adfm.201102266