Modeling of Long Term Memory Effects in RF Power Amplifiers with Dynamic Parameters
Paper i proceeding, 2012

This paper presents a new radio frequency power amplifier behavioral model that is capable of modeling long term memory effects. The proposed model is derived by assuming linear dependence of the parameters of a conventional model to a long term memory parameter, which enables the model to better track the signal-induced changes of the power amplifier electrical behavior. The model is experimentally tested and shows a 2-3 dB improvement compared to common behavioral models.

Författare

Ali Soltani Tehrani

Chalmers, Signaler och system, Kommunikations- och antennsystem, Kommunikationssystem

Gigahertzcentrum

Thomas Eriksson

Chalmers, Signaler och system, Kommunikations- och antennsystem, Kommunikationssystem

Gigahertzcentrum

Christian Fager

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Gigahertzcentrum

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

0149645X (ISSN)

Art. no. 6259496- 6259496

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Ämneskategorier

Telekommunikation

Signalbehandling

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/MWSYM.2012.6259496

ISBN

978-146731087-1

Mer information

Skapat

2017-10-07