10 dB small-signal graphene FET amplifier
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

Reported is the realisation of a graphene FET microwave amplifier operating at 1 GHz, exhibiting a small-signal power gain of 10 dB and a noise figure of 6.4 dB. The amplifier utilises a matching inductor on the gate yielding a return loss of 20 dB. The design is optimised for maximum gain and the optimum noise figure is extracted by noise modelling and predicted to be close to 1 dB for the intrinsic graphene FET at this frequency. The presented results complement existing graphene FET applications and are promising for future graphene microwave circuits.

microwave amplifiers

noise figure

noise measurements

Graphene FETs

Författare

MICHAEL ANDERSSON

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Omid Habibpour

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Electronics Letters

0013-5194 (ISSN) 1350-911X (eISSN)

Vol. 48 14 861-863

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1049/el.2012.1347

Mer information

Skapat

2017-10-07