Investigation of gate edge effects on interface traps densities in 3C-SiC MOS capacitors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

Författare

T. Gutt

T. Malakowski

H. M. Przewlocki

Olof Engström

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik

M. Bakowski

R. Esteve

Material Science and Engineering B

2161-6221 (ISSN)

Vol. 177 1327-

Ämneskategorier

Materialteknik

Annan elektroteknik och elektronik

Styrkeområden

Materialvetenskap

Mer information

Skapat

2017-10-08