Highly linear 1-3 GHz GaN HEMT low-noise amplifier
Paper i proceeding, 2012
GaN
Linearity
HEMT
Low Power consumption
Low-noise amplifier
High dynamic range
Författare
Pirooz Chehrenegar
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Morteza Abbasi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Kristoffer Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
0149645X (ISSN)
6259764978-146731087-1 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/MWSYM.2012.6259764
ISBN
978-146731087-1