The influence of gate material, SiO2 fabrication method and gate edge effect on interface trap density in 3C-SiC MOS capcitors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012
Författare
T. Gutt
T. Malachowski
H. M. Prewlocki
Olof Engström
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
M. Bakowski
R. Esteve
Materials Science Forum
0255-5476 (ISSN) 16629752 (eISSN)
Vol. 117 109-Ämneskategorier
Annan materialteknik
Styrkeområden
Materialvetenskap