The influence of gate material, SiO2 fabrication method and gate edge effect on interface trap density in 3C-SiC MOS capcitors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

Författare

T. Gutt

T. Malachowski

H. M. Prewlocki

Olof Engström

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

M. Bakowski

R. Esteve

Materials Science Forum

0255-5476 (ISSN)

Vol. 117 109-

Ämneskategorier

Annan materialteknik

Styrkeområden

Materialvetenskap

Mer information

Skapat

2017-10-08