Direct Chemical Vapor Deposition of Large-Area Carbon Thin Films on Gallium Nitride for Transparent Electrodes: A First Attempt
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

Direct formation of large-area carbon thin films on gallium nitride by chemical vapor deposition without metallic catalysts is demonstrated. A high flow of ammonia is used to stabilize the surface of the GaN (0001)/sapphire substrate during the deposition at 950 degrees C. Various characterization methods verify that the synthesized thin films are largely sp(2) bonded, macroscopically uniform, and electrically conducting. The carbon thin films possess optical transparencies comparable to that of exfoliated graphene. This paper offers a viable route toward the use of carbon-based materials for future transparent electrodes in III-nitride optoelectronics, such as GaN-based light emitting diodes and laser diodes.

GaN

III-V semiconductors

ammonia

graphene

Chemical vapor deposition

chemical vapour deposition

transparent electrodes

Författare

Jie Sun

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

M. T. Cole

University of Cambridge

S. Awais Ahmad

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Olof Bäcke

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

Tommy Ive

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Markus Löffler

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys

Niclas Lindvall

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Eva Olsson

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

K. B. K. Teo

AIXTRON Nanoinstruments Ltd.

Johan Liu

Chalmers, Teknisk fysik, Elektronikmaterial och system

Anders Larsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Avgust Yurgens

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Åsa Haglund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing

0894-6507 (ISSN)

Vol. 25 3 494-501

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/tsm.2012.2198676