Concurrent Dual-Band GaN-HEMT Power Amplifier at 1.8 GHz and 2.4 GHz
Paper i proceeding, 2012
gallium nitride (GaN)
digital predistortion (DPD)
power amplifier (PA)
dual-band
harmonic termination
high electron mobility transistor (HEMT)
Författare
Paul Saad
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
P. Colantonio
Universita degli Studi di Roma Tor Vergata
Junghwan Moon
Pohang University of Science and Technology
L. Piazzon
Universita degli Studi di Roma Tor Vergata
F. Giannini
Universita degli Studi di Roma Tor Vergata
Kristoffer Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Bumman Kim
Pohang University of Science and Technology
Christian Fager
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
13th annual IEEE Wireless and Microwave Technology Conference
6208427
9781467301299 (ISBN)
Cocoa Beach, USA,
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/WAMICON.2012.6208427