Intrinsically tunable 0.67 BiFeO3-0.33 BaTiO3 thin film bulk acoustic wave resonators
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

Intrinsically tunable 0.67BiFeO3-0.33 BaTiO3(BF–BT) thin film bulk acoustic wave resonators with record high tunability of 4.4% and effective electromechanical coupling coefficient of 10% are fabricated and analyzed. The analysis, based on the theory of the dc field induced piezoelectric effect with the mechanical loading by the electrodes taken into account, reveals that the enhanced parameters are associated with the inherently high BF–BT electrostriction coefficient, which is found to be 5.9x1010 m/F. The Q-factor of the BF–BT resonators is up to 220 at 4.1 GHz and is limited mainly by acoustic wave scattering at reflection from a relatively rough top interface.

Ferroelecric

microwave film acoustic resonator

tunable FBAR

multiferroic

Författare

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Spartak Gevorgian

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Norayr Martirosyan

State Engineering University of Armenia

Markus Löffler

Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

Eva Olsson

Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group

Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys

Applied Physics Letters

0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)

Vol. 101 23 232903-232903-5- 232903

Omkopplingsbara och avstämbara komposit-film-bulk-akustisk-våg-resonatorer (CompFBAR)

Vetenskapsrådet (VR), 2012-01-01 -- 2014-12-31.

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Materialvetenskap

Fundament

Grundläggande vetenskaper

Drivkrafter

Innovation och entreprenörskap

Ämneskategorier

Annan fysik

Den kondenserade materiens fysik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

DOI

10.1063/1.4769346

Mer information

Skapat

2017-10-07