Intrinsically tunable 0.67 BiFeO3-0.33 BaTiO3 thin film bulk acoustic wave resonators
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012
Intrinsically tunable 0.67BiFeO3-0.33 BaTiO3(BF–BT) thin film bulk acoustic wave resonators
with record high tunability of 4.4% and effective electromechanical coupling coefficient of 10%
are fabricated and analyzed. The analysis, based on the theory of the dc field induced piezoelectric
effect with the mechanical loading by the electrodes taken into account, reveals that the enhanced
parameters are associated with the inherently high BF–BT electrostriction coefficient, which is
found to be 5.9x1010 m/F. The Q-factor of the BF–BT resonators is up to 220 at 4.1 GHz
and is limited mainly by acoustic wave scattering at reflection from a relatively rough top interface.
Ferroelecric
microwave film acoustic resonator
tunable FBAR
multiferroic
Författare
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Spartak Gevorgian
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Norayr Martirosyan
State Engineering University of Armenia
Markus Löffler
Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys
Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group
Eva Olsson
Chalmers, Teknisk fysik, Eva Olsson Group
Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys
Applied Physics Letters
0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)
Vol. 101 23 232903-232903-5- 232903Omkopplingsbara och avstämbara komposit-film-bulk-akustisk-våg-resonatorer (CompFBAR)
Vetenskapsrådet (VR) (2011-4203), 2012-01-01 -- 2014-12-31.
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik (SO 2010-2017, EI 2018-)
Materialvetenskap
Fundament
Grundläggande vetenskaper
Drivkrafter
Innovation och entreprenörskap
Ämneskategorier
Annan fysik
Den kondenserade materiens fysik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
DOI
10.1063/1.4769346