Properties of Al2O3-films deposited on silicon by atomic layer epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1997

Författare

Per Ericsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Jarmo Skarp

Microelectronic Engineering

Vol. 36 1-4 91-94

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/S0167-9317(97)00022-1