Properties of Al2O3-films deposited on silicon by atomic layer epitaxy

Per Ericsson; Stefan Bengtsson; Jarmo Skarp

doi:10.1016/S0167-9317(97)00022-1

Properties of Al2O3-films deposited on silicon by atomic layer epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1997

Författare

Per Ericsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Jarmo Skarp

Microelectronic Engineering

Vol. 36 1-4 91-94

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/S0167-9317(97)00022-1

Publikationsdata kopplat till DOI

Mer information

Skapat

2017-10-08

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE

Properties of Al2O3-films deposited on silicon by atomic layer epitaxy Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1997