Properties of Al2O3-films deposited on silicon by atomic layer epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1997

Författare

Per Ericsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Jarmo Skarp

Microelectronic Engineering

Vol. 36 1-4 91-94

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/S0167-9317(97)00022-1

Publikationsdata kopplat till DOI

Mer information

Skapat

2017-10-08

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE