HfO2 gate dielectrics on strained-Si and strained-SiGe layers
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2003
Författare
Mikael Johansson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Mahdi Yousif
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Per Lundgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Stefan Bengtsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
J. Sundqvist
Anders Harsta
H. H. Radamson
Semiconductor Science And Technology
Vol. 18 9 820-826
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik