HfO2 gate dielectrics on strained-Si and strained-SiGe layers
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2003

Författare

Mikael Johansson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fasta tillståndets elektronik

Mahdi Yousif

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fasta tillståndets elektronik

Per Lundgren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fasta tillståndets elektronik

J. Sundqvist

Anders Harsta

H. H. Radamson

Semiconductor Science And Technology

Vol. 18 820-826

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik