Selective growth of individual multiwalled carbon nanotubes
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004

Growth of individual, vertically aligned multiwalled carbon nanotubes (VACNT) on patterned Si wafers using dc plasma-enhanced CVD is described. The selective growth of individual VACNT within larger holes etched in Si is demonstrated for the first time.

Plasma-enhanced chemical vapour deposition

Multiwalled carbon nanotubes

Controlled individual growth

PECVD

Författare

Raluca Elena Morjan

Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Atomfysik

Mohammad Kabir

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fasta tillståndets elektronik

SangWook Lee

Göteborgs universitet

Oleg Nerushev

Göteborgs universitet

Per Lundgren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fasta tillståndets elektronik

Stefan Bengtsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fasta tillståndets elektronik

YungWoo Park

Seoul National University

Eleanor E B Campbell

Göteborgs universitet

Current Applied Physics

1567-1739 (ISSN)

Vol. 4 6 591-594

Ämneskategorier

Fysik

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/j.cap.2004.01.025