Selective growth of individual multiwalled carbon nanotubes
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004
Growth of individual, vertically aligned multiwalled carbon nanotubes (VACNT) on patterned Si wafers using dc plasma-enhanced CVD is described. The selective growth of individual VACNT within larger holes etched in Si is demonstrated for the first time.
Plasma-enhanced chemical vapour deposition
Multiwalled carbon nanotubes
Controlled individual growth
PECVD
Författare
Raluca Elena Morjan
Chalmers, Institutionen för experimentell fysik, Atomfysik
Mohammad Kabir
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
SangWook Lee
Göteborgs universitet
Oleg Nerushev
Göteborgs universitet
Per Lundgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Stefan Bengtsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
YungWoo Park
Seoul National University
Eleanor E B Campbell
Göteborgs universitet
Current Applied Physics
1567-1739 (ISSN)
Vol. 4 6 591-594Ämneskategorier
Fysik
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/j.cap.2004.01.025