Molecular beam epitaxy growth of InSb1-xBix thin films
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2013

Molecular beam epitaxy growth for InSb1-xBix thin films on (100) GaAs substrates is reported. Successful Bi incorporation for 2% is achieved, and up to 70% of the incorporated Bi atoms are at substitutional sites. The effects of growth parameters on Bi incorporation and surface morphology are studied. Strong In and Ga inter-diffusion induced by Bi incorporation is observed and discussed.

Bismuth compounds

Molecular beam epitaxy

Semiconducting III-V materials

Semiconducting ternar compounds

Författare

Yuxin Song

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Ivy Saha Roy

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Peixiong Shi

Danmarks Tekniske Universitet (DTU)

A. Hallen

Kungliga Tekniska Högskolan (KTH)

Zonghe Lai

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Journal of Crystal Growth

0022-0248 (ISSN)

Vol. 378 323-328

Ämneskategorier

Atom- och molekylfysik och optik

DOI

10.1016/j.jcrysgro.2012.12.085

Mer information

Senast uppdaterat

2018-02-28