InP DHBT Distributed Amplifiers With Up to 235-GHz Bandwidth
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015
heterojunction bipolar transistors (HBTs)
indium-phosphide (InP)
wideband amplifiers
Distributed amplifiers (DAs)
noise figure
Författare
Klas Eriksson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
I.Z. Darwazeh
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
0018-9480 (ISSN) 15579670 (eISSN)
Vol. 63 4 1334-1341 7052422Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/tmtt.2015.2405916