Study of MgB2 HEB mixers vs the LO frequency and the bath temperature
Paper i proceeding, 2015

We investigate the noise and the gain of MgB2 Hot-Electron Bolometer (HEB) mixers at 1.63THz LO. The critical temperature of the HEB was 22K and the film thickness was 20nm. At 4.2K and 12K bath temperatures the lowest obtained receiver noise temperatures are 1700K and 2100K,respectively, with a noise bandwidth of about 4.6GHz. The gain bandwidth is about 3GHz in both cases.

Författare

Serguei Cherednichenko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Evgenii Novoselov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Stella Bevilacqua

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Hiroyuki Shibata

Nippon Telegraph and Telephone Corporation

Yasuhiro Tokura

Nippon Telegraph and Telephone Corporation

26th International Symposium on Space Terahertz Technology March 16-18, 2015, Cambridge, United States

M2-1

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Astronomi, astrofysik och kosmologi

Elektroteknik och elektronik

Nanoteknik

Mer information

Skapat

2017-10-08