1060 nm VCSEL for up to 40 Gbit/s Data Transmission
Paper i proceeding, 2016

A GaAs-based 1060 nm VCSEL with strained InGaAs/GaAsP QWs, doped DBRs, a short optical cavity, and multiple oxide apertures is presented. Modulation up to 40 Gbit/s at 25°C and 30 Gbit/s at 85°C is demonstrated.

Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL)

optical interconnects

Författare

Ewa Simpanen

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Johan Gustavsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Erik Haglund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Emanuel Haglund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Anders Larsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

W. V. Sorin

Chalmers University of Technology

S. Mathai

Chalmers University of Technology

Michael Tan

Chalmers University of Technology

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference

08999406 (ISSN)

Article no 7765757- 7765757

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Telekommunikation

Kommunikationssystem

Nanoteknik

Den kondenserade materiens fysik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

ISBN

978-4-8855-2306-9