Influence of the channel width on the threshold voltage modulation in MOSFETs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1975
threshold voltage modulation
MOSFET
Field-effect transistors
channel width
Författare
Kjell Jeppson
Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap
Electronics Letters
0013-5194 (ISSN) 1350-911X (eISSN)
Vol. 11 14 297-299Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik (SO 2010-2017, EI 2018-)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1049/el