Bandgap engineering in nonlinear silicon nitride waveguides
Paper i proceeding, 2017

We show that controlling the bandgap of SiN provides an additional degree of freedom for engineering waveguides for nonlinear optics. We show an optimized structure with gamma*maxLeff = 0.17 rad/W and absence of nonlinear loss.

Författare

Clemens Krückel

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Attila Fülöp

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Peter Andrekson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Victor Torres Company

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

2017 Optical Fiber Communication Conference (OFC)

M3F.6 - 7936862

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Kommunikationssystem

Nanoteknik

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1364/OFC.2017.M3F.6

ISBN

978-194358023-1