A 400-GHz Graphene FET Detector
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017

This letter presents a graphene field effect transistor (GFET) detector at 400 GHz, with a maximum measured optical responsivity of 74 V/W, and a minimum noise-equivalent power of 130 pW/Hz1/2. This letter shows how the detector performance degrades as a function of the residual carrier concentration in the graphene channel, which is an important material parameter that depends on the quality of the graphene sheet and contaminants introduced during the fabrication process. In this work, the exposure of the graphene channel to liquid processes is minimized resulting in a low residual carrier concentration. This is in part, an important contributing factor to achieve the record high GFET detector performance. Thus, our results show the importance to use graphene with high quality and the importance to minimize contamination during the fabrication process.

Detectors

submillimeter wave transistors

submillimeter wave measurements

graphene

field effect transistor (FET)

terahertz (THz)

Författare

Andrey Generalov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

MICHAEL ANDERSSON

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Xinxin Yang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology

2156-342X (ISSN)

Vol. 7 5 614-616 7981343

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Nanoteknik

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1109/TTHZ.2017.2722360

Mer information

Skapat

2017-10-08