Characterization of switched mode LDMOS and GaN power amplifiers for optimal use in polar transmitter architectures
Paper i proceeding, 2008
Power amplifiers
GaN hemt
Polar transmitter
LDMOS
Författare
Hossein Mashad Nemati
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Christian Fager
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Ulf Gustavsson
Ericsson AB
Hendrikus Jos
NXP Semiconductors Netherlands
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
0149645X (ISSN)
1505-1508 4633066978-142441781-0 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/MWSYM.2008.4633066
ISBN
978-142441781-0