GaN MMIC power amplifiers for S-band and X- band
Paper i proceeding, 2008

The development of two GaN MMIC power amplifiers is reported. The amplifiers are processed in the AlGaN/GaN technology of Chalmers University of Technology using 0.25 ?m HEMTs. The S-band amplifier operates at frequencies from 3 to 4 GHz and has a maximum output power of 5.6 W with an associated efficiency of 28 %. The X-band amplifier has a maximum output power of 4.8 W.

Författare

Erwin M. Suijker

Nederlandse Organisatie voor toegepast natuurwetenschappelijk onderzoek- TNO

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Martin Fagerlind

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

A. P. De Hek

Nederlandse Organisatie voor toegepast natuurwetenschappelijk onderzoek- TNO

F. E. Van Vliet

Nederlandse Organisatie voor toegepast natuurwetenschappelijk onderzoek- TNO

38th European Microwave Conference, EuMC 2008; Amsterdam; Netherlands; 27 October 2008 through 31 October 2008

297-300 4751447

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/EUMC.2008.4751447

ISBN

978-287487006-4