Influence of Al/N flux ratio during nucleation layer growth on the structural properties of AlN grown on sapphire by molecular beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Fredrik Fälth

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Stefan Davidsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Xinju Liu

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thorvald Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

applied physics letters

Vol. 87 161901-

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-08