Influence of Al/N flux ratio during nucleation layer growth on the structural properties of AlN grown on sapphire by molecular beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Fredrik Fälth

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Stefan Davidsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Xinju Liu

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Thorvald Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

applied physics letters

Vol. 87 161901-

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-08

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE