Electrical activity of deep levels in the presence of InAs/GaAs quantum dots

M Kaniewska; Olof Engström; A Barcz; M Pacholak-Cybulska

Electrical activity of deep levels in the presence of InAs/GaAs quantum dots
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006

Författare

M Kaniewska

Olof Engström

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

A Barcz

M Pacholak-Cybulska

Material Science in Semiconductor Processing

Vol. 9 1-3 36-40

Ämneskategorier

Fysik

Mer information

Skapat

2017-10-06

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE

Electrical activity of deep levels in the presence of InAs/GaAs quantum dots Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006