Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007
A1. High-resolution X-ray diffraction
B1. Nitrides
A1. Reflection high-energy electron diffraction
A1. Atomic force microscopy
A3. Molecular beam epitaxy
Författare
Xinju Liu
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
H.F. Liu
Nanyang Technological University
A. Uddin
Nanyang Technological University
Thorvald Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Journal of Crystal Growth
0022-0248 (ISSN)
Vol. 300 1 114-117Ämneskategorier
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2006.11.032