Electrical properties of 4H-SiC MIS capacitors with AlN gate dielectric grown by MOCVD
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2019
MIS capacitors
Gate dielectrics
AlN/4H-SiC interface
Författare
Rabia Y. Khosa
University of Education Lahore
Háskóli Íslands
J. T. Chen
Linköpings universitet
K. Pálsson
Háskóli Íslands
Robin Karhu
Linköpings universitet
J. Hassan
Linköpings universitet
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik, Mikrovågselektronik
E. O. Sveinbjornsson
Háskóli Íslands
Linköpings universitet
Solid-State Electronics
00381101 (ISSN)
Vol. 153 52-58Ämneskategorier
Annan materialteknik
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1016/j.sse.2018.12.016