Enhanced gate stack stability in GaN transistors with gate dielectric of bilayer SiNx by low pressure chemical vapor deposition
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2018
Författare
Tongde Huang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Nanjing University
Huaxing Jiang
Hong Kong University of Science and Technology
Johan Bergsten
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Kei May Lau
Hong Kong University of Science and Technology
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Applied Physics Letters
0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)
Vol. 113 23 232102Ämneskategorier
Materialkemi
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1063/1.5042809