Defect studies in MBE grown GaSb1-x Bi x layers
Paper i proceeding, 2014
GaSbBi
GaSb
Doppler broadening
defect
vacancy
positron annihilation spectroscopy
Författare
N. Segercrantz
Aalto-Yliopisto
J. Kujala
Aalto-Yliopisto
F. Tuomisto
Aalto-Yliopisto
J. Slotte
Aalto-Yliopisto
Yuxin Song
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Shu Min Wang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
AIP Conference Proceedings
0094-243X (ISSN) 1551-7616 (eISSN)
Vol. 1583 174-177Taipei, Taiwan,
Ämneskategorier
Atom- och molekylfysik och optik
Annan materialteknik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1063/1.4865629