Graphene Field-Effect Transistors for Millimeter Wave Amplifiers
Paper i proceeding, 2019

In this work, we analyze high frequency performance of graphene field-effect transistors (GFETs), applying models of drain resistance, carrier velocity and
saturation velocity. This allows us to identify main limitations and propose an approach most promising for further development of the GFETs suitable for advanced mm-wave amplifiers. Analysis indicates, that the saturation velocity of charge carriers in the GFETs can be increased up to 5e7 cm/s via encapsulating graphene by hexagonal boron nitride layers, with corresponding increase of extrinsic maximum frequency of oscillation up to 180 GHz at 200 nm gate length.

mm-wave amplifiers

saturation velocity

maximum frequency of oscillation

graphene field-effect transistors

Författare

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Marlene Bonmann

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Muhammad Asad

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Xinxin Yang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Luca Banszerus

RWTH Aachen University

Christoph Stampfer

RWTH Aachen University

Martin Otto

AMO

Daniel Neumaier

AMO

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz

21622027 (ISSN) 21622035 (eISSN)

Vol. 2019-September 8874149

2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
, ,

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik (2010-2017)

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Drivkrafter

Hållbar utveckling

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/IRMMW-THz.2019.8874149

Mer information

Senast uppdaterat

2019-11-19