A power detector based on GaN high-electron-mobility transistors for a gigabit on–off keying demodulator at 90 GHz
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2019

Författare

Tongde Huang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Sining An

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Johan Bergsten

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik, Mikrovågselektronik

Zhongxia Simon He

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik, Mikrovågselektronik

Japanese Journal of Applied Physics

0021-4922 (ISSN)

Vol. 58

Ämneskategorier

Atom- och molekylfysik och optik

Annan fysik

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2019-10-31