A 2x6b 8GS/s 17-24GHz I/Q RF-DAC based Transmitter in 22nm FDSOI CMOS
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2021

We describe a 2×6 bit Cartesian RF IQ-modulator, implemented on 0.15mm2 in a 22nm FDSOI CMOS technology. Measurements show a 3dB bandwidth of 17–24 GHz and a saturated output power of 10.4dBm with a peak drain efficiency of 15.6%. The IQ-modulator has been verified up to 8GS/s. To the best of our knowledge, this is the highest-frequency CMOS RF IQ-modulator using sub-50%-duty-cycle LO signals, and the highest sample rate reported for >3 bit fully integrated Cartesian IQ-modulators.

IQ-modulator

RF-DAC

SOI CMOS

Författare

Victor Åberg

Chalmers, Data- och informationsteknik, Datorteknik, Electronics Systems

Christian Fager

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Lars Svensson

Chalmers, Data- och informationsteknik, Datorteknik, Electronics Systems

IEEE Microwave and Wireless Components Letters

1531-1309 (ISSN)

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Ämneskategorier

Kommunikationssystem

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/LMWC.2021.3089779

Mer information

Senast uppdaterat

2021-06-18