The Schottky barrier transistor in emerging electronic devices
Reviewartikel, 2023
source-gated transistors
1D materials
2D materials
thin film transistors
Josephson junctions
Schottky barriers
field effect transistors
Författare
Mike Schwarz
Technische Hochschule Mittelhessen
Tom Vethaak
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantteknologi
Vincent Derycke
Université Paris-Saclay
Anais Francheteau
Université Grenoble Alpes
Benjamin Iniguez
Universitat Rovira i Virgili
Satender Kataria
RWTH Aachen University
Alexander Kloes
Technische Hochschule Mittelhessen
Francois Lefloch
Université Grenoble Alpes
M.C. Lemme
RWTH Aachen University
John P. Snyder
JCap, LLC
Walter M. Weber
Technische Universität Wien
Laurie E. Calvet
Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
Nanotechnology
0957-4484 (ISSN) 1361-6528 (eISSN)
Vol. 34 35 352002Ämneskategorier (SSIF 2011)
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1088/1361-6528/acd05f
PubMed
37100049