On-wafer characterisation of resonant-tunnelling diodes up to 1.1 THz
Paper i proceeding, 2023
This paper presents on-wafer S-parameter characterisation of resonant-tunnelling diodes between 0.5 THz and 1.1 THz. Diodes with a peak current density of 532 kA/cm2 and a clear negative differential region have been fabricated. An on-chip Multi-Thru-Reflect-Line calibration kit was developed and utilised to achieve accurate S-parameter measurements up to 1.1 THz.
Författare
Patrik Blomberg
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Vladimir Drakinskiy
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz
21622027 (ISSN) 21622035 (eISSN)
9798350336603 (ISBN)
48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Montreal, Canada,
Montreal, Canada,
Uppgradering av den nationella infrastrukturen för terahertzkarakterisering för att möjliggöra nästa generation trådlösa tillämpningar och instrument för fjärranalys
Vetenskapsrådet (VR) (2020-06187), 2021-01-01 -- 2024-12-31.
THz kommunikation - NU
Stiftelsen för Strategisk forskning (SSF) (CHI19-0027), 2021-01-01 -- 2025-12-31.
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Myfab (inkl. Nanotekniklaboratoriet)
Drivkrafter
Hållbar utveckling
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Reglerteknik
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/IRMMW-THz57677.2023.10299370